нарастание одного кристаллического материала на другом; ориентированный рост одного кристалла на поверхности подложки ◆ Рассмотрение эпитаксии с позиции дефектности границ сопряжения позволяет сформулировать общий принцип, определяющий формы эпитаксии и ориентировки в следующем виде: … Л. С. Палатник, М. Я. Фукс, В. М. Косевич, «Механизм образования и субструктура конденсированных пленок», 1972 г.