кристаллическое изолирующее вещество, у которых зависимость поляризации от напряженности внешнего электрического поля имеет такой же характер, как и кривая намагничивания для ферромагнитных материалов ◆ Одновременно за эти годы резко возросло применение сегнетоэлектриков. Г. А. Смоленский, Н. Н. Крайник, «Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики», 1968 г.◆ На основе тонкоплёночных сегнетоэлектриков уже давно изготавливают устройства энергонезависимой памяти, однако возможность их миниатюризации крайне ограничена. Сергей Карасёв, «Российские учёные получили материал на основе оксида гафния для памяти нового типа» // «3DNews - Daily Digital Digest», 13 апреля 2016 г.
